Galería de mapas mentales Marco de conocimiento de circuitos electrónicos analógicos.
Marco de conocimiento de circuitos electrónicos analógicos, que incluye: semiconductor, unión PN (P-N), aplicación de diodo (Aplicación de diodo), niveles de resistencia (Niveles de resistencia).
Editado a las 2023-01-08 20:11:01,Este es un mapa mental sobre una breve historia del tiempo. "Una breve historia del tiempo" es una obra de divulgación científica con una influencia de gran alcance. No sólo presenta los conceptos básicos de cosmología y relatividad, sino que también analiza los agujeros negros y la expansión. del universo. temas científicos de vanguardia como la inflación y la teoría de cuerdas.
¿Cuáles son los métodos de fijación de precios para los subcontratos de proyectos bajo el modelo de contratación general EPC? EPC (Ingeniería, Adquisiciones, Construcción) significa que el contratista general es responsable de todo el proceso de diseño, adquisición, construcción e instalación del proyecto, y es responsable de los servicios de operación de prueba.
Los puntos de conocimiento que los ingenieros de Java deben dominar en cada etapa se presentan en detalle y el conocimiento es completo, espero que pueda ser útil para todos.
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diodo semiconductor
semiconductor
Material semiconductor
Ge
Si
GaAs
Los semiconductores son eléctricamente neutros con respecto al mundo exterior.
Semiconductor intrínseco
Definición: Un semiconductor puro que está completamente libre de impurezas y defectos cristalinos.
Características
Concentración de electrones = Concentración de huecos
Mala conductividad eléctrica
Baja concentración de portador
A medida que aumenta la temperatura, aumenta el número de portadores.
Excitación intrínseca: cuando la temperatura del semiconductor es T>0K, los electrones se desprenden del enlace covalente para formar electrones libres.
portadores intrínsecos
Hueco: vacante que se forma cuando un electrón se desprende de un enlace covalente y se convierte en un electrón libre.
Electrones libres: los electrones de valencia rompen enlaces covalentes y forman electrones que se mueven libremente.
semiconductor de impureza
Semiconductor tipo N (tipo N)
Introducción de elementos de 5 valencias (iones donantes)
fósforo
antimonio
arsénico
Características
eléctricamente neutral
Alta conductividad
El quinto electrón adicional no está asociado con ningún enlace covalente específico.
Semiconductor tipo P (tipo P)
Introducción de elementos trivalentes (iones aceptores)
boro
galio
indio
Características
eléctricamente neutral
No hay suficientes electrones para formar enlaces covalentes, lo que crea agujeros
Unión PN (P-N) unión
Formación: la región de impureza de tipo N está en estrecho contacto con una región de impureza de tipo P y se genera una región de agotamiento en la unión.
Movimiento de difusión del portador: diferencia de concentración.
Muchos portadores (agujeros) en la región tipo P se difunden a la región tipo N
Difusión de electrones (electrones) de la región de tipo N a la región de tipo P
movimiento de deriva
Los iones cargados atrapados (iones negativos tipo P, iones positivos tipo N) forman un campo eléctrico autoconstruido, lo que impulsa a los portadores minoritarios a moverse hacia un potencial bajo.
Características
La dirección del campo eléctrico interno de la unión PN es de la región N a la región P.
Tiene conductividad unidireccional.
El voltaje externo hace que la corriente fluya de N a P, con alta resistencia y pequeña corriente.
El voltaje externo hace que la corriente fluya de P a N, con baja resistencia y gran corriente.
Polarización directa: el terminal P está conectado al positivo, el terminal N está conectado al negativo, la capa de agotamiento se vuelve más estrecha, agrava el movimiento de difusión, evita el movimiento de deriva y la unión PN se activa
Polarización inversa: el terminal N está conectado al electrodo positivo, el terminal P está conectado al electrodo negativo, el campo eléctrico interno se fortalece, la capa de agotamiento se vuelve más ancha, la corriente de deriva proviene del portador minoritario, la corriente es muy pequeña , y la unión PN está cortada
La ecuación de Shockley:
es la corriente de saturación inversa
es el voltaje de polarización directa aplicado al diodo
es el factor ideal, normalmente 1
Tensión térmica:
Constante de Boltzmann k
cargo q
avería inversa
Avería eléctrica (reversible)
Desglose zener
desglose de avalancha
Ruptura térmica (irreversible)
Aplicación de diodo
Circuito equivalente de diodo
circuito equivalente ideal
La corriente fluye desde el polo positivo del diodo al polo negativo y el circuito se enciende.
La corriente fluye desde el polo negativo del diodo al polo positivo y el circuito se desconecta.
Circuito equivalente simplificado/aproximado
El voltaje del diodo no se puede ignorar. El voltaje de los diodos de silicio es generalmente de 0,7 V.
Circuito equivalente lineal por partes
Modelo equivalente
Diodo ideal, ignore el voltaje del diodo
diodo simplificado
rectificación de media onda
Entrada de CA, salida de CC
rectificación de onda completa
circuito limitante
Niveles de resistencia
resistencia CA
Tipo de resistencia
CC o resistencia estática
resistencia CC
CA o resistencia dinámica
La resistencia de CA depende del punto de funcionamiento de CC Punto Q en el diodo
Resistencia CA promedio
Definición de línea dentro del rango
Software utilizado: Mindmaster
Transistores de unión bipolares
triodo
Tipo de transistor
PNP
PNP
estructura
Coleccionista C
Emisor E
relación:
Base B
PNP
condiciones internas
La región de emisión está altamente dopada.
Área de base delgada
Amplia zona de unión de colectores
F
unión del emisor polarizada directamente
polarización inversa de la unión del colector
Fecha límite
estado magnificado
estado saturado
BJT de polarización de CC
Distribución actual
Distribución de voltaje
Ley de voltaje de Kirchhoff
Principio de amplificación
Configuración de polarización fija
Bucle base-emisor
Bucle colector-emisor
Saturación de transistores
Análisis de línea de carga
Circuito de polarización de estabilización del emisor
Cómo: Agregar una resistencia al emisor puede mejorar la estabilidad del transistor
Bucle base-emisor
Bucle colector-emisor
circuito de polarización del divisor de voltaje
fórmula
Análisis aproximado
Polarización de CC de retroalimentación de voltaje
Bucle base-emisor
Bucle colector-emisor
Análisis BJT AC
Ampliación del campo de la comunicación.
Función de fuente de alimentación CC
función de transistores
Modelado de transistores BJT
Red de CA
Retire la alimentación CC
Los condensadores de acoplamiento y de derivación pueden sustituirse por cortocircuitos.
circuito equivalente de CA
modelo de transistor
Polarización fija del emisor común
juez
juez
juez
polarización del divisor de voltaje
juez
juez
Polarización del emisor CE
seguidor de emisor
juez
Transistores de efecto de campo
Transistor de efecto de campo de unión (JFET)
estructura
canal n y canal p
Características de transferencia JFET
La ecuación de Shockley.
curva de transferencia
relación importante
JFET
bjt
Transistor de efecto de campo de puerta aislada (MOSFET)
tipo
canal n
Mejorado
tipo de agotamiento
canal P
Mejorado
tipo de agotamiento
Características (tipo de agotamiento del canal n)
Curva característica
puesta en marcha
Diagrama de circuito
tipo de agotamiento
Mejorado
Los principales parámetros
Parámetros de CC
Encender voltaje VT (parámetro mejorado)
Tensión de pinzamiento VP (parámetro del modo de agotamiento)
Corriente de fuga de saturación IDSS (parámetro del modo de agotamiento)
Resistencia de entrada CC RGS
Parámetros de CA
Resistencia de salida rds
Conductancia mutua de baja frecuencia gm
Limitar parámetros
analizar
Para todos los FET
Para JFET y MOSFET en modo de agotamiento
MOSFET mejorados