Mindmap-Galerie Halbleiterdioden und Anwendungsschaltungen
Diese Karte ist eine Wissens-Mind-Map über Halbleiter. Ihr Inhalt umfasst hauptsächlich Dioden und Schaltungen. Diese Karte erklärt Halbleiterdioden und Anwendungsschaltungen aus den Grundlagen von Halbleitern, Halbleiterdioden, Anwendungsgeräten von Halbleiterdioden und Spezialdioden.
Bearbeitet um 2022-06-05 22:09:49Welche Preismethoden gibt es für Projektunteraufträge im Rahmen des EPC-Generalvertragsmodells? EPC (Engineering, Procurement, Construction) bedeutet, dass der Generalunternehmer für den gesamten Prozess der Planung, Beschaffung, Konstruktion und Installation des Projekts verantwortlich ist und für die Testbetriebsdienste verantwortlich ist.
Die Wissenspunkte, die Java-Ingenieure in jeder Phase beherrschen müssen, werden ausführlich vorgestellt und das Wissen ist umfassend. Ich hoffe, es kann für alle hilfreich sein.
Das Software-Anforderungs-Engineering ist ein Schlüsselkapitel für Systemanalytiker. Zu den Kapiteln „Anforderungserhebung“ und „Anforderungsanalyse“ gehören häufig Veröffentlichungen.
Welche Preismethoden gibt es für Projektunteraufträge im Rahmen des EPC-Generalvertragsmodells? EPC (Engineering, Procurement, Construction) bedeutet, dass der Generalunternehmer für den gesamten Prozess der Planung, Beschaffung, Konstruktion und Installation des Projekts verantwortlich ist und für die Testbetriebsdienste verantwortlich ist.
Die Wissenspunkte, die Java-Ingenieure in jeder Phase beherrschen müssen, werden ausführlich vorgestellt und das Wissen ist umfassend. Ich hoffe, es kann für alle hilfreich sein.
Das Software-Anforderungs-Engineering ist ein Schlüsselkapitel für Systemanalytiker. Zu den Kapiteln „Anforderungserhebung“ und „Anforderungsanalyse“ gehören häufig Veröffentlichungen.
Kapitel 1: Halbleiterdioden und Anwendungsschaltungen
1. Halbleiter-Grundlagen
Kovalente Bindungsstruktur: die atomare Struktur eines Einkristalls, die durch Reinigung von Elementen wie Silizium entsteht
Leitfähige Eigenschaften: Dotierungseigenschaften, thermische Eigenschaften, lichtempfindliche Eigenschaften
Intrinsischer Halbleiter: ein völlig reiner, strukturell intakter Halbleiterkristall (durch thermische Effekte/intrinsische Anregungen entstehen freie Elektronen und Löcher)
Magazin Halbleiter
Halbleiter vom N-Typ
Einbau fünfwertiger Elemente wie P (Donorverunreinigung)
Freie Elektronen sind Mehrheitsträger und Löcher sind Minderheitsträger
Donor-Verunreinigungen liefern Elektronen, positiv geladene, positive Ionen
Halbleiter vom P-Typ
Einbau dreiwertiger Elemente wie B (Akzeptorverunreinigung)
Freie Elektronen sind Minoritätsträger, Löcher sind Mehrheitsträger
Das Loch der Akzeptorverunreinigung fängt das Elektron ein und ist negativ geladen, ein negatives Ion.
PN-Übergang
P-Typ-Halbleiter und N-Typ-Halbleiter werden mit unterschiedlichen Verfahren auf einer Siliziumplatte hergestellt und an der Grenzfläche bildet sich eine dünne Schicht mit besonderen physikalischen Eigenschaften. Stabile Raumladungszone, Hochwiderstandszone, Verarmungsschicht
Bildung: Konzentrationsunterschied - Diffusionsbewegung von Multiträgern - Magazinionen bilden eine Raumladungszone - die Raumladungszone bildet ein internes elektrisches Feld (das interne elektrische Feld fördert die Drift von Minoritätsträgern und verhindert die Diffusion von Multiträgern) - erreicht dynamisches Gleichgewicht ( Diffusionsstrom = Driftstrom, der Gesamtstrom ist 0)
Einwegleitfähigkeit
Durchlassspannung (Vorwärtsvorspannung) Up>Un: Das externe elektrische Feld schwächt das interne elektrische Feld, fördert die Diffusion von Majoritätsträgern und verhindert die Drift von Minoritätsträgern. Die Raumladungsfläche wird schmaler und der PN-Übergang weist einen geringen Widerstand auf (das interne elektrische Feld zeigt von positiven Ionen zu negativen Ionen).
Sperrspannung (Sperrvorspannung) Up<Un: Das äußere elektrische Feld verstärkt das innere elektrische Feld, behindert die Diffusion von Majoritätsträgern und fördert die Drift von Minoritätsträgern. Die Raumladungszone wird breiter und der PN-Übergang erhält einen hohen Widerstand.
Aktuelle Gleichung (nicht wichtig): Ut=26mV bei Raumtemperatur
Voltampere-Eigenschaften
Vorwärtsleitung: Überwindung der Totzonenspannung 0,5/0,1 V; Leitungsspannung 0,7/0,2 V
Rückwärtsabschaltung
Rückwärtsdurchbruch: Durchbruchspannung Ubr
kapazitiver Effekt
Barrierekapazität Cb: wird durch Änderungen im Raumladungsbereich gebildet
Diffusionskapazität Cd: Während des Diffusionsprozesses werden Mehrheitsträger akkumuliert.
Sperrschichtkapazität: Cj=Cb Cd. Ignorieren Sie niedrige Frequenzen und berücksichtigen Sie hohe Frequenzen
2. Halbleiterdioden
Halbleiterstruktur
Kennlinien und Parameter von Halbleiterdioden
Maximaler gleichgerichteter Strom If: der maximale durchschnittliche Vorwärtsstrom, der während des Langzeitbetriebs durch die Leiterdiode fließen darf. Wenn es den Grenzwert überschreitet, kann es leicht beschädigt werden.
Sperrdurchbruchspannung Ubr
Maximale Sperrarbeitsspannung Urm=1/2Ubr
Rückstrom Ir: Leckstrom, gesättigter Leckstrom ist Is
Maximale Betriebsfrequenz fm: Es dauert einige Zeit, bis die Diode ihren Zustand wechselt
Kapazität zwischen den Elektroden
Gleichstromwiderstand: Gleichstromversorgung. Rd=Udq/Idq
Mikrovariabler Widerstand: rd=Ut/Idq (Ut=26mV)
3. Anwendungsschaltung von Halbleiterdioden
Diodenmodell
DC-Modell
Wirkt auf Gleichstromversorgung und Wechselstrom-Großsignalkreise
ideales Modell
Modell mit konstantem Spannungsabfall
Polylinienmodell
Exponentielles Modell
Kommunikationsmodell
Wirkt auf AC-Kleinsignalstromkreise
Kleinsignalmodell
Analyse der Diodenanwendungsschaltung
Gleichrichterschaltung: Wandelt die bipolare Eingangsspannung in einen unipolaren Ausgang um. Nutzen Sie ideale Modelle. Eine Diode fungiert als Schalter und leitet Strom in eine Richtung.
Begrenzungsschaltung: Modell mit konstantem Spannungsabfall verwenden. Die Diode hat eine Einwegleitfähigkeit und die Spannung bleibt nach dem Leiten unverändert. (Analysemethode: Finden Sie einen Punkt zur Erde; trennen Sie die Diode und analysieren Sie die Spannung an beiden Enden; besprechen Sie dann, ob sie ein- oder ausgeschaltet ist und welche Spannung gefunden werden soll)
Schaltkreis: Das Leiten und Ausschalten der Diode entspricht dem Ein- oder Ausschalten des Schalters, wodurch einige logische Beziehungen realisiert werden (Analysemethode: Nehmen Sie zunächst an, dass sie ein- oder ausgeschaltet ist; diskutieren Sie die Spannung an beiden Enden; ob dies der Fall ist wahr; finde die zu findende Spannung)
4. Spezielle Dioden
Zenerdiode
Die Durchbruchsspannung der Spannungsreglerröhre liegt konstant bei Ubr=Uz. Beim Rückwärtsdurchschlag, wenn sich der Strom in einem weiten Bereich ändert, wird nur eine kleine Spannungsänderung verursacht.
Anwendungsschaltung
Die Funktion des Widerstands: Strombegrenzungsfunktion, Schutz der Spannungsreglerröhre; wenn sich die Eingangsspannung oder der Laststrom ändert, wird durch die Änderung des Spannungsabfalls am Widerstand das Fehlersignal herausgenommen, um den Arbeitsstrom des Spannungsreglers anzupassen Röhre, wodurch die Spannung stabilisiert wird.
Analysemethode: Gehen Sie davon aus, dass ein stabiler Spannungszustand erreicht ist. Vergleichen Sie die Spannungen an beiden Enden.
Weitere Spezialdioden
Fotodiode
LED