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Halbleitertransistor
Transistor, dessen vollständiger Name Halbleitertriode sein sollte, auch bekannt als Bipolartransistor und Transistor, ist ein Halbleiterbauelement, das den Strom steuert. Seine Funktion besteht darin, schwache Signale in elektrische Signale mit größeren Amplituden zu verstärken, und wird auch als kontaktloser Schalter verwendet.
Bearbeitet um 2022-04-22 12:43:42- Welche Preismethoden gibt es für Projektunteraufträge im Rahmen des EPC-Generalvertragsmodells
Welche Preismethoden gibt es für Projektunteraufträge im Rahmen des EPC-Generalvertragsmodells? EPC (Engineering, Procurement, Construction) bedeutet, dass der Generalunternehmer für den gesamten Prozess der Planung, Beschaffung, Konstruktion und Installation des Projekts verantwortlich ist und für die Testbetriebsdienste verantwortlich ist.
- Wissenspunkte, die Java-Ingenieure in jeder Phase beherrschen müssen
Die Wissenspunkte, die Java-Ingenieure in jeder Phase beherrschen müssen, werden ausführlich vorgestellt und das Wissen ist umfassend. Ich hoffe, es kann für alle hilfreich sein.
- Systemanalytiker – Software-Anforderungsentwicklung
Das Software-Anforderungs-Engineering ist ein Schlüsselkapitel für Systemanalytiker. Zu den Kapiteln „Anforderungserhebung“ und „Anforderungsanalyse“ gehören häufig Veröffentlichungen.
Halbleitertransistor
- Welche Preismethoden gibt es für Projektunteraufträge im Rahmen des EPC-Generalvertragsmodells
Welche Preismethoden gibt es für Projektunteraufträge im Rahmen des EPC-Generalvertragsmodells? EPC (Engineering, Procurement, Construction) bedeutet, dass der Generalunternehmer für den gesamten Prozess der Planung, Beschaffung, Konstruktion und Installation des Projekts verantwortlich ist und für die Testbetriebsdienste verantwortlich ist.
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Das Software-Anforderungs-Engineering ist ein Schlüsselkapitel für Systemanalytiker. Zu den Kapiteln „Anforderungserhebung“ und „Anforderungsanalyse“ gehören häufig Veröffentlichungen.
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- Gliederung
Halbleitertransistor
Struktur
Einstufung
nach Häufigkeit
Niederfrequenz
Hochfrequenz
nach Struktur
NPN-Typ: Uc>Ub>Ue
PNP-Typ:Ue>Ub>Uc
Uc: Kollektor; Ub: Basis; Ue: Emitter
nach Material
Germanium-Röhre
Silikonschlauch
durch Macht
klein Mittel Groß
Merkmale
Die Grundfläche ist dünn und die Dotierungskonzentration gering
Die Verunreinigungskonzentration im emittierenden Bereich ist sehr hoch
Der Kollektorübergang ist dicker als der Emitterübergang
Arbeitsbedingungen
Interne Bedingungen: Der Emitterbereich ist hoch dotiert, der Basisbereich ist niedrig und dünn und der Kollektorübergang ist dick
Äußere Bedingungen: Emitterübergang in Vorwärtsrichtung vorgespannt, Kollektorübergang in Sperrrichtung vorgespannt
Stufe drei aktuell
Bildung: IE: Diffusion von Mehrheitsträgern zur Basisregion. IB: Freie Elektronen rekombinieren mit Löchern in der Basisregion. IC: Freie Elektronen werden in der Kollektorregion gesammelt
Beziehung
Hauptbeziehung
IE=IB IC
IE>IC,IC>IB,IE>IB
Die Beziehung zwischen IC und IB: β=IC/IB, β gemeinsamer Emitter-Gleichstromverstärkungskoeffizient
Die Beziehung zwischen IC und IE: α=IC/IE, α ist der gemeinsame Basisstromverstärkungskoeffizient
Voltampere-Eigenschaften
Volt-Ampere-Kennlinie
eingeben
Wenn Uce<1V: Der Emitterübergang ist in Durchlassrichtung vorgespannt und der Kollektorübergang ist in Durchlassrichtung vorgespannt
Wenn UcE≥1V: Der Emitterübergang ist in Vorwärtsrichtung vorgespannt und der Kollektorübergang ist in Sperrrichtung vorgespannt
Ausgabe
Vergrößerungsbereich
Bedingung: Der Emitterübergang ist in Vorwärtsrichtung vorgespannt und der Kollektorübergang ist in Rückwärtsrichtung vorgespannt.
Merkmale:
Basissteuerstromkollektor, IC=βIB
Siliziumrohr 0,7 V; Germaniumrohr 0,3 V
Cutoff-Bereich
Bedingungen: Der Emitterübergang ist in Sperrrichtung vorgespannt und der Kollektorübergang ist in Sperrrichtung vorgespannt.
Merkmale:
Der Basisstrom IB=0, der Kollektor-IC ist klein, IC≈IE≈0
Kollektor und Emitter sind gleichbedeutend mit getrennt
gesättigte Zone
Bedingung: Der Emitterübergang ist in Durchlassrichtung vorgespannt, der Kollektorübergang ist in Durchlassrichtung vorgespannt
Merkmale:
Uce steigt, Ic steigt
Sättigungsspannung: Silizium Uces=0,3 V, Germanium Uces=0,1 V
Vorwärtsvorspannung des Emitterübergangs: Silizium 0,7 V, Germanium 0,3 V
Verstärkerschaltung
Grundlegend
Essenz: Die Energie der Gleichstromversorgung wird in die Energie des Wechselstromsignals umgewandelt
Definition: Eine analoge Schaltung, die schwache Signale verstärken kann
Einstufung
Je nach Signalstärke
Spannungsverstärkerschaltung
Leistungsverstärkerschaltung
Je nach Signalfrequenz
DC-Verstärkerschaltung
Niederfrequenzverstärkerschaltung
Hochfrequenzverstärkerschaltung
Je nach verwendetem Gerät
Röhrenverstärkerschaltung
Transistorverstärkerschaltung
Feldeffekttransistor-Verstärkerschaltung
Integrierte Operationsverstärkerschaltung
Leistung
Vergrößerung A
Spannung: Au=uo/ui
Aktuell: Ai=io/ii
Leistung: Ap=Po/Pi
Definition des Eingangswiderstands Ri: Der Eingangsanschluss zeigt zum Ausgangsanschluss
Definition des Ausgangswiderstands Ro: Der Ausgangsanschluss zeigt zum Eingangsanschluss
Äquivalenter Widerstand der Verstärkerschaltung
Verzerrung
nichtlinear
Cutoff-Verzerrung: Verursacht Verzerrung am oberen Rand der Ausgangswellenform
Sättigungsverzerrung: Verursacht Verzerrung am unteren Rand der Ausgangswellenform
Frequenzverzerrung: Kapazität und Induktivität, die durch unterschiedliche Frequenzen verursacht werden
Kompositionsprinzip
Gleichstromkreis
Verstärken Sie das Signal, um Energie bereitzustellen
Der Transistor befindet sich im Verstärkungszustand
Koppelkondensator
Das Eingangssignal kann an den Emitterübergang der Triode angelegt werden
Das verstärkte Signal wird effektiv an die Last übertragen
Verordnung
Gleichstromkomponente: Verwenden Sie lb, lc, Ube丶Uce
Momentaner Wert der Kommunikationskomponente: Verwenden Sie ip丶ic、ube丶uce
Gültige Werte der Kommunikationskomponenten: Ib, lc, Ube, Uce verwenden
Gesamtbetragsänderung: Verwenden Sie ib, ic丶UBE丶UcE
Gleichstrompfad: Die Wechselstromsignalquelle ist auf Null gesetzt und der Kondensator ist für Gleichstrom geöffnet.
Wechselstrompfad: Gleichspannungsquelle wird auf Null gesetzt; Koppelkondensator gilt als Kurzschluss
analysieren
statische Analyse
Schätzmethode DC-Lastliniengleichung:
Ucc=IbqRb Ubeq
Uce=Vcc-IcRc
Zeichenmethode
Zeichnen Sie eine Kurve gemäß der Gleichung
Stellen Sie die Ausgangs-DC-Lastleitung her
Finden Sie den Q-Punkt der Ausgabekurve
Der Einfluss von Rb auf Q: Ibq=(Ucc-Ube)/Rb
Der Einfluss von Rc auf Q: Uce=Ucc-IcRc
Die Wirkung von Vcc auf Q: Auf- und Abwärtsbewegung parallel zur ursprünglichen Position
Dynamische Wellenformanalyse: ic=Icq ic, Uce=Uceq Uce